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行业事件

当地时间6 月30 日，荷兰政府发布了关于先进半导体设备的出口管制新条例，针对条例中列明的相关先进半导体设备，出口商需要申请许可证，并获得许可后才能出口。该法规将于2023 年9 月1 日生效。

投资要点：

光刻、沉积等工艺环节的部分设备、软件及材料被纳入管制范围：根据荷兰政府发布的管制条例细则，管制主要针对先进制程领域的光刻、沉积等工艺环节的相关设备、软件及材料。具体包括：1）EUV 光罩保护膜；2）EUV 光罩保护膜的生产设备；3）光刻设备；4）用于金属剥离的原子层沉积（ALD）设备；5）设计用于硅（Si）、碳掺杂硅、硅锗（SiGe）或碳掺杂SiGe 外延生长的设备；6）设计用于在介电常数低于3.3 的金属线之间的深度与高度之比（AR）等于或大于1:1 的小于25nm 宽的空间中沉积由无空穴等离子体增强的Low K 电介质的设备；7）专为开发、生产或使用以上设备所需的软件；8）专为开发、生产或使用以上设备所需的技术。

光刻机管制范围符合市场预期，ASML 和ASM 厂商受主要影响：此次管制条例影响的公司主要为荷兰的光刻机龙头ASML（阿斯麦）和核心产品包括原子层沉积（ALD）设备和外延生长设备的龙头厂商ASM（先晶半导体）。根据条例细则和ASML 官网的声明，光刻机涉及的范围主要包括括1）光源波长短于193nm 的光刻机，即EUV 光刻机；2）光源波长等于或大于193nm 且同时满足以下条件的光刻机：①能够产生具有45nm 或更小的最小可分辨特征尺寸（MRF）的图案；②小于或等于1.50nm 的最大专用卡盘覆盖（DCO）值，对应ASML 的产品即为TWINSCAN NXT：2000i 及后续推出的最先进的DUV 光刻机。根据ASML 官网数据，NXT：1980Di 光刻机的DCO 值小于等于1.6nm，此次暂未受到出口管制。ALD 及外延设备的管制为此次条例新增范围，主要针对先进制程领域，荷兰的先晶半导体(ASM)为ALD 及外延设备的龙头厂商，此次同ASML 是受管制条例影响较大的两家企业。

投资建议：此次荷兰正式公布的出口管制条例虽然主要针对先进制程，对我国成熟制程的扩产短期暂无影响，但未受影响的光刻机等设备较受到管制的光刻机设备在良率等性能上有所落后，长期看仍然会影响我国半导体产业的发展，我国半导体制造产业链的自主可控进程仍需加速。此外，出口管制新条例在光刻机外还新增了沉积、外延设备及相关软件、材料，体现出海外对我国半导体设备出口政策趋严态势不改，我国半导体产业的供应链稳定性及安全性仍然存在隐患。建议关注我国光刻、沉积、外延设备领域的领先厂商，以及产业链上游的软件、材料供应商。

风险因素：技术突破不及预期，海外管制政策进一步趋严，我国晶圆厂扩产扩建不及预期。

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